NGL2006

北村正*、久保田和文*、中澤伸一*、長谷部俊昭*、酒井太志*、山本昌宏*、井上雅裕**

* (株)NGR 174-0051 東京都板橋区小豆沢三丁目6-7 NK志村坂上ビル7F

**(株)トプコン 174-8580 東京都板橋区蓮沼町75-1

  1. 概要
  2.  レイアウトデータと走査型電子顕微鏡画像を使ったウェーハ・マスク検査方法を提案する。図1は本提案方法による検査方法を示す模式図である。本提案方法では、レイアウトデータ(アフターエッチ)とエッチング後のウェーハから得られた走査型電子顕微鏡画像を使った検査方法と、レイアウトデータ(レジスト)とレジストウェーハから得られた走査型電子顕微鏡画像を使った検査方法がある。従来は、マスク描画データとマスクから得られた光学顕微鏡画像を使った検査方法が実用化されていた。この方法とは別の方法として、マスク描画データとマスクから得られた走査型電子顕微鏡画像使った検査方法がある。

  3. まとめ
  4.  これらの提案方法によれば、ショット内の全てのシステマティック欠陥が検出できるので半導体デバイスの性能向上に大きく寄与できる。また、従来のCD-SEMに比べ非常に多くの計測値が高速に得られるのでより精緻なプロセス管理が可能になる。さらに、本提案方法で得られた計測値とEDA(Electric Design Automation)ツールとの連携によりDFM(Design for Manufacturability)を実現することが可能である。これらの提案方法は、リソシミュレータなどの手法と相補関係がある。今後、リソシミュレータなどの手法とのさらなる連携が必要とされる。

200608wafer